Transistoren

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 18. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3PF. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 7V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: NPN-Transistor. Polarität: NPN. Menge pro Karton: 2. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 50V. Kollektorstrom: 0.8A. Leistung: 0.46W. Gehäuse: TO-78

Kosten): 1.6pF. Darlington-Transistor?: NINCS. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdatum: 2014/17. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Kollektorstrom: 14A. Ic(Impuls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 62W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1700pF. Kosten): 184pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 430 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 76 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1650pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 355 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 49.6W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 780pF. Kosten): 100pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 272 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 9A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 38W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: +55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS

C(in): 1160pF. Kosten): 134pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 360ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 1uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MDF9N60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 48W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 48 ns. Td(on): 31 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Funktion: SMPS, Hochgeschwindigkeitsschaltung. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS

Kosten): 2.5pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: 400. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 20A. Ic(Impuls): 30A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 175W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.6us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 650V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 25. Kollektorstrom: 50A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 7pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 75...1000. Kollektorstrom: 60A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO–204AE ). Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11015G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Grenzfrequenz ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11016

RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: PCB-Löten. C(in): 4pF. Kosten): TO-204AA. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 30A. Ic(Impuls): +200°C. Hinweis: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+200°C. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Polarität: PNP. Typ: Darlington-Transistor. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -60V. Kollektorstrom: -50A. Leistung: 300W

Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11033

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11032G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Kosten): 300pF. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 50A. Ic(Impuls): 100A. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11032

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington PNP-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ11033G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 50A. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15003G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15004

RoHS: ja. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: 70. C(in): TO-3. Kosten): TO-204AA. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 2 MHz. Funktion: Leistungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 20A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 140V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15003. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Ic(Impuls): 20A

BE-Widerstand: 70. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

BE-Widerstand: 70. Darlington-Transistor?: NINCS. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15016. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15015G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 6 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-NPN-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Kollektorstrom: 15A. Pd (Verlustleistung, max): 180W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 0.8 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Kollektorstrom: 15A. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+200°C. VCBO: 200V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15015. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: MJ15016G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 15A. Grenzfrequenz ft [MHz]: 18 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 180W. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C