Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
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1 - 9 | 0.37€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.43€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.40€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.38€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.37€ | 0.44€ |
10 - 24 | 0.36€ | 0.43€ |
25 - 49 | 0.34€ | 0.40€ |
50 - 99 | 0.32€ | 0.38€ |
100 - 125 | 0.29€ | 0.35€ |
KSC2310-O. Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 100 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 0.05A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 O. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
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