Transistoren

Kosten): 8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 300 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 600mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 285 ns. Tf(min): 35 ns. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -...+150°C. VCBO: 75V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 12pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 200 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Minimaler hFE-Gewinn: 75. Kollektorstrom: 0.6A. Hinweis: Pinbelegung E, C, B. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 60V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Vebo: 5V

Kosten): 6pF. Konditionierungseinheit: 2000. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungstransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Kollektorstrom: 500mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaktischer PNP-Siliziumtransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( Ammo Pack ). Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Kollektorstrom: 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1002. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V

Widerstand B: 22k Ohms. BE-Widerstand: 22k Ohms. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Kollektorstrom: 0.1A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1003. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: +55...+150°C. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 10V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Kollektorstrom: 100mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1007. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Kollektorstrom: 0.1A. Hinweis: 0.3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Kollektorstrom: 0.1A. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SW. Kollektorstrom: 0.1A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 47. BE-Widerstand: 47. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: S. Kollektorstrom: 0.1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Widerstand B: 10. BE-Widerstand: 10. Kosten): 3.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Kollektorstrom: 0.15A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 50V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 4 MHz. Funktion: isolierter Pakettransistor. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 20W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V

Kosten): 50pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Kollektorstrom: 1.5A. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 280pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 10 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audioverstärker. Maximaler hFE-Gewinn: 160. Minimaler hFE-Gewinn: 55. Kollektorstrom: 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B778. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 80W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P ( H ) IS. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) KTD998. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 0.8pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 3.5pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Maximaler hFE-Gewinn: 198. Minimaler hFE-Gewinn: 40. Kollektorstrom: 20mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 15.8k Ohms. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. Kollektorstrom: 3A. Hinweis: T32. Pd (Verlustleistung, max): 10W. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 0.6pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrom: 10A. Pd (Verlustleistung, max): 70W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Transistortyp: NPN. VCBO: 210V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60T65PES. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 535W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 142ns. Td(on): 45 ns. Technologie: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.85V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.4V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 650V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4 v. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6V. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kanaltyp: N. Transistortyp: FET. Funktion: 0505-111646. ID (T=25°C): 1.4A. IDSS (max): 1.4A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: SMD 5p.. Spannung Vds(max): 30 v. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code QU

Kosten): 1pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.2us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 0.55pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungstransistor für CRT mit Standardauflösung. Maximaler hFE-Gewinn: 7.5. Minimaler hFE-Gewinn: 5.5. Kollektorstrom: 10A. Ic(Impuls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 57W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.25us. Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Kosten): 4pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Maximaler hFE-Gewinn: 7. Minimaler hFE-Gewinn: 4.5. Kollektorstrom: 12A. Ic(Impuls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 58W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 2.6us. Tf(min): 0.2us. Gehäuse: ISOWATT218FX. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-218-FX. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 700V. Vebo: 9V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS