Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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KSC5027F-R

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KSC5027F-R. Kosten): 60pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 15 MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Kollektorstrom: 3A. Ic(Impuls): 10A. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: 0...+150°C. VCBO: 1100V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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