Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen

IXFH32N50

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IXFH32N50. C(in): 5700pF. Kosten): 750pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 128A. ID (T=25°C): 32A. IDSS (max): 1mA. IDss (min): 200uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 360W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.

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C(in): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 170 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Schaltnetzteile (SMPS). Id(imp): 124A. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 460W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-Schutz: NINCS
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