N-Kanal-Transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8743

N-Kanal-Transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v - IRLR8743. N-Kanal-Transistor, 113A, 160A, 150uA, 2.4M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. ID (T=100°C): 113A. ID (T=25°C): 160A. IDSS (max): 150uA. Einschaltwiderstand Rds On: 2.4M Ohms. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 30 v. C(in): 4880pF. Kosten): 950pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Gate-Steuerung durch Logikpegel. Id(imp): 640A. IDss (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 135W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 21 ns. Td(on): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.35V. Vgs(th) min.: 1.35V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 20/04/2025, 23:25.