IXFK44N80P

IXFK44N80P. RoHS: ja. C(in): 12pF. Kosten): 910pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Enhancement Mode, Avalanche Rated. Id(imp): 100A. ID (T=25°C): 44A. IDSS (max): 1.5mA. IDss (min): 50uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 1200W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.19 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 75 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: PolarHVTM HiPerFET Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: dv/dt 10V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.