IXFH58N20

IXFH58N20. RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-247AD. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: IXFH58N20. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 58A. Drainstrom durch Widerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 29A. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 4 v. Einschaltzeit ton [nsec.]: 25 ns. Ausschaltverzögerung tf[nsec.]: 90 ns. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 4400pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 300W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Bestandsmenge aktualisiert am 15/01/2025, 21:25.