IXFK90N30

IXFK90N30. C(in): 10000pF. Kosten): 1800pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 360A. ID (T=100°C): 75A. ID (T=25°C): 90A. IDSS (max): 2mA. IDss (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 500W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 100 ns. Td(on): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264AA. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 300V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.