IPD034N06N3GATMA1

IPD034N06N3GATMA1. C(in): 8000pF. Kosten): 1700pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 48 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: High Frequency Switching, Optimized tecnology for DC/DC converters. Id(imp): 400A. ID (T=100°C): 100A. ID (T=25°C): 100A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 034N06N. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 167W. Einschaltwiderstand Rds On: 2.8m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 63 ns. Td(on): 38 ns. Technologie: OptiMOS(TM)3 Power-Transistor. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): PG-TO252-3 ( DPAK ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.