IKW50N60T

IKW50N60T. C(in): 3140pF. Kosten): 200pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 143 ns. Funktion: Sehr niedrige VCEsat. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 50A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K50T60. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 333W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 299 ns. Td(on): 26 ns. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.9V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.