IPA60R600E6

IPA60R600E6. C(in): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaltyp: N. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Hinweis: komplett isoliertes Gehäuse (2500VAC/60s). Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6R600E6. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 28W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 58 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.