IPB80N06S2-08

IPB80N06S2-08. C(in): 2860pF. Kosten): 740pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 55 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Automotive AEC Q101 qualifiziert. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.01uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2N0608. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 215W. Einschaltwiderstand Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 32 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: MOSFET-Transistor. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): D2PAK ( TO-263 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Extrem niedriger Einschaltwiderstand. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 17/01/2025, 21:25.