N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW30N60H3

N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V - IKW30N60H3. N-Kanal-Transistor, 30A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 30A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247 ( AC ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. C(in): 1630pF. Kosten): 107pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 30. Trr-Diode (Min.): 117 ns. Funktion: High Speed Switching, Very Low VCEsat. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 60A. Ic(Impuls): 60.4k Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K30H603. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 187W. RoHS: ja. Spec info: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 207 ns. Td(on): 21 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.95V. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.1V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 5.7V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 06/06/2025, 10:25.