N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3

N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V - IKW40N120H3. N-Kanal-Transistor, 40A, TO-247, TO-247N, 1200V. Ic(T=100°C): 40A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247N. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1200V. C(in): 2330pF. Kosten): 185pF. CE-Diode: ja. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Funktion: IGBT-Transistor mit „Trench and Fieldstop“-Technologie. Germaniumdiode: NINCS. Kollektorstrom: 80A. Ic(Impuls): 180A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: K40H1203. Anzahl der Terminals: 3. Pd (Verlustleistung, max): 483W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Betriebstemperatur: -40...+175°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.05V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 5.8V. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 07/06/2025, 13:25.