Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQPF20N06L

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FQPF20N06L. C(in): 480pF. Kosten): 175pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 54 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 345pF. Kosten): 72pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 64A. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.08 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 20 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Low Gate Charge. G-S-Schutz: NINCS
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