FQPF85N06

FQPF85N06. C(in): 3170pF. Kosten): 1150pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 60V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 17 nC, niedriger CrSS 5,6 pF. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.