Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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FQPF19N20

FQPF19N20
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FQPF19N20. C(in): 1220pF. Kosten): 220pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 140 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.

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FQPF19N20C

FQPF19N20C

C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion...
FQPF19N20C
C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
FQPF19N20C
C(in): 830pF. Kosten): 195pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 208 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 43W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 200V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Technologie: N-Kanal-MOSFET-Transistor (DMOS, QFET). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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