FQPF9N50CF

FQPF9N50CF. C(in): 790pF. Kosten): 130pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Verlustleistung, max): 44W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 93 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Betriebstemperatur: +55...+150°C. Spannung Vds(max): 500V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller Schalter, niedrige Gate-Ladung 28 nC, niedriger CrSS 24 pF. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 18/01/2025, 02:25.