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BDY83B

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BDY83B. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 3 MHz. Kollektorstrom: 4A. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.