Transistoren

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 20V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 700 MHz. Funktion: VHF TV-IF. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Minimaler hFE-Gewinn: 35. Kollektorstrom: 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 30 v. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Funktion: UHF-V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Kollektorstrom: 30mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.15W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-50. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-50. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Transistortyp: Leistungstransistor. Polarität: PNP. Max Frequenz: 900 MHz. Gehäuse: SOT-37. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-V. Kollektorstrom: 30mA. Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Transistortyp: PNP. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Menge pro Karton: 1

C(in): 3pF. Kosten): 1.2pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 18mA. IDss (min): 2mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: M90. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 18V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: ja

C(in): 2.3pF. Kosten): 0.8pF. Funktion: N-MOSFET-Transistor. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 4mA. IDss (min): 2mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MH. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code MH

C(in): 2.1pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Funktion: VHF- und UHF-Anwendungen mit 12V Versorgungsspannung. ID (T=25°C): 30mA. IDSS (max): 15mA. IDss (min): 5mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: MOS. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Technologie: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 12V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. Kosten): 1.1pF. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS

RoHS: ja. Komponentenfamilie: MOSFET, N-MOS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-143B. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 4. Herstellerkennzeichnung: BF998. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. Gate-Durchbruchspannung Ugs [V]: 2V. Ciss-Gate-Kapazität [pF]: 2.5pF. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.2W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: VHF/UHF-A 7GHz Breitbandtransistor. Maximaler hFE-Gewinn: 130. Minimaler hFE-Gewinn: 80. Kollektorstrom: 150mA. Pd (Verlustleistung, max): 1W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+175°C. VCBO: 25V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1

Kosten): 0.7pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 7GHz. Funktion: Für VHF/UHF-Antennenverstärker und HF-Kommunikationsanwendungen. Maximaler hFE-Gewinn: 250. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 200mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 2W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-223 ( TO-226 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-223. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 3V. Anzahl der Terminals: 4. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: V3%. Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -60...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/CMS-Code V3. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Minimaler hFE-Gewinn: 60. Kollektorstrom: 50mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: %MW. Pd (Verlustleistung, max): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/SMD-Code MW. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 60 MHz. Funktion: VID-L. Kollektorstrom: 0.1A. Pd (Verlustleistung, max): 1.8W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-126. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-223. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-264. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BFN37. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 250V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 1.5W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor

C(in): 0.9pF. Kosten): 0.28pF. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 8GHz. Funktion: UHF wideband transistor. Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 80mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RCs. Pd (Verlustleistung, max): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 12V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: Siebdruck/SMD-Code-RCs. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochauflösend“. Kollektorstrom: 0.3A. Pd (Verlustleistung, max): 3W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Menge pro Karton: 1. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) BFQ252. Hinweis: Tc.=115°C

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: UHF-A. Kollektorstrom: 0.15A. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Menge pro Karton: 1

Halbleitermaterial: Silizium. FT: 175 MHz. Kollektorstrom: 1.25A. Pd (Verlustleistung, max): 4W. Transistortyp: NPN. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 36V. Menge pro Karton: 1

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: R7s. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 210mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.7W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: M2. Drain-Source-Spannung Uds [V]: 25V. Drainstrom Idss [A] bei Ug=0V: 5mA. Gate-Source-Breakpoint-Spannung Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.25W. Komponentenfamilie: N-Kanal-JFET-Transistor. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

C(in): 0.64pF. Kosten): 0.23pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 140. Minimaler hFE-Gewinn: 70. Kollektorstrom: 0.045A. Pd (Verlustleistung, max): 0.28W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55...+150°C. VCBO: 15V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 20V. Vebo: 2.5V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

C(in): 1.2pF. Kosten): 0.6pF. Konditionierung: Rolle. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 5GHz. Funktion: 5GHz-Breitbandtransistor (UHF-A). Maximaler hFE-Gewinn: 135. Minimaler hFE-Gewinn: 65. Kollektorstrom: 25mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P2p. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 20V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 15V. Vebo: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code P2P. Konditionierungseinheit: 3000. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: P2. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

RoHS: ja. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOT-23. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: GFs. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 15V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 45mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 5GHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.28W. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C