Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Transistoren

BF451

BF451
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BF451. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 350 MHz. Funktion: HF- und ZF-Stufen in Funkempfängern. Maximaler hFE-Gewinn: 90. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Kollektorstrom: 25mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Epitaxialer Planartransistor . Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 16/01/2025, 20:25.

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RoHS: NINCS. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-226AA. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: BF450. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25mA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 350 MHz. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.3W. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92 ( SOT-54 ). Transistortyp: PNP. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Vebo: 4 v. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Spec info: feedback capacitance--0.45pF
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