Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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BF245C

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BF245C. C(in): 4pF. Kosten): 1.6pF. Kanaltyp: N. Transistortyp: JFET. Funktion: HF-VHF. ID (T=25°C): 25mA. IDSS (max): 25mA. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: Feldeffekttransistor. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Gate/Source-Spannung (aus) max.: 7.5V. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 3.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Drain-Source-Schutz: NINCS. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 15:25.

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