Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 9 | 0.0860€ | 0.1023€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0972€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0921€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0870€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0819€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0768€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0716€ |
Menge | U.P | |
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1 - 9 | 0.0860€ | 0.1023€ |
10 - 24 | 0.0817€ | 0.0972€ |
25 - 49 | 0.0774€ | 0.0921€ |
50 - 99 | 0.0731€ | 0.0870€ |
100 - 249 | 0.0688€ | 0.0819€ |
250 - 499 | 0.0645€ | 0.0768€ |
500 - 4023 | 0.0602€ | 0.0716€ |
BF199. Kosten): 3.5pF. Halbleitermaterial: Silizium. FT: 1100 MHz. Funktion: TV-IF. Kollektorstrom: 100mA. Pd (Verlustleistung, max): 350mW. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: „Planarer Epitaxietransistor“. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -55°C bis +150°C. VCBO: 40V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 25V. Vebo: 4 v. Widerstand B: NPN-Transistor. BE-Widerstand: RF-POWER. C(in): 25V. Menge pro Karton: 1. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 06:25.
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