Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SUD15N06-90L

SUD15N06-90L
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SUD15N06-90L. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 15A. IDSS (max): 15A. Pd (Verlustleistung, max): 37W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.05 Ohms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.

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C(in): 370pF. Kosten): 140pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 56 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 25uA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 45W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Spannung Vds(max): 55V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-Schutz: NINCS
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