STW43NM60N
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 15.94€ | 18.97€ |
| 2 - 2 | 15.14€ | 18.02€ |
| 3 - 4 | 14.34€ | 17.06€ |
| 5 - 9 | 13.55€ | 16.12€ |
| 10 - 14 | 13.23€ | 15.74€ |
| 15 - 19 | 12.91€ | 15.36€ |
| 20+ | 12.43€ | 14.79€ |
| Menge | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 15.94€ | 18.97€ |
| 2 - 2 | 15.14€ | 18.02€ |
| 3 - 4 | 14.34€ | 17.06€ |
| 5 - 9 | 13.55€ | 16.12€ |
| 10 - 14 | 13.23€ | 15.74€ |
| 15 - 19 | 12.91€ | 15.36€ |
| 20+ | 12.43€ | 14.79€ |
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
STW43NM60N. Kanaltyp: N. Transistortyp: MOSFET. ID (T=100°C): 22A. ID (T=25°C): 35A. IDSS (max): 35A. Pd (Verlustleistung, max): 255W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.075 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Technologie: MDmesh II. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 600V. Funktion: Idm--140Ap(pulsed). Menge pro Karton: 1. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.
Gleichwertige Produkte :
STW45NM60
C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ...
C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Pd (Verlustleistung, max): 417W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-Schutz: NINCS
C(in): 3800pF. Kosten): 1250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 508 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 180A. ID (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 45A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: W45NM60. Pd (Verlustleistung, max): 417W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). G-S-Schutz: NINCS
Wir empfehlen außerdem :
BYM26C
Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchste...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRFB3207
C(in): 6920pF. Kosten): 600pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Menge pro Karton: 1. Tr...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
STW43NM60ND
C(in): 4300pF. Kosten): 250pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 190 n...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
TRIM-50R-10H
Widerstand: 50 Ohms. Durchmesser: 10mm. Widerstandstyp: Kohlenstoffschicht. Charakteristik: Linear. ...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
IRFIZ44N
Kanaltyp: N. Einschaltwiderstand Rds On: 0.024 Ohms. Menge pro Karton: 1. Transistortyp: MOSFET. Fun...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
SGH30N60RUFD
C(in): 1970pF. Kosten): 310pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
2SK3568
C(in): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Diode. Menge pro Karton: 1. Trr-Dio...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
RC0603JR-07-0R
Widerstand: 0 Ohm. Leistung: 0.1W. Maximaler Dauerstrom: 1A. Widerstandstyp: Dicker Film. Temperatu...
[MODCATID]
[LONGDESCRIPTION]
[LONGDESCRIPTION]
Informationen und technische Hilfe
Zahlungs-und Lieferbedingungen
Lieferung in 2-3 Tagen, mit Postverfolgung!
Alle Rechte vorbehalten, RPtronics, 2024.