TIP122G

TIP122G. Widerstand B: ja. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. C(in): TO-220. Kosten): 200pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Darlington-Transistor?: ja. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. FT: kHz. Maximaler hFE-Gewinn: +150°C. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. Betriebstemperatur: -65...+150°C. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127G. BE-Diode: NINCS. CE-Diode: ja. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.