SUP85N03-3M6P

SUP85N03-3M6P. C(in): 3535pF. Kosten): 680pF. Kanaltyp: N. Konditionierung: Kunststoffrohr. Drain-Source-Schutz: Diode. Trr-Diode (Min.): 41 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 85A. ID (T=25°C): 85A. IDSS (max): 250uA. IDss (min): 1uA. Pd (Verlustleistung, max): 78W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 30 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Funktion: Netzteil, DC/DC-Wandler. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 19:25.