TIP122

TIP122. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: TO-220AB. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-220AB. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 3. Herstellerkennzeichnung: TIP122. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 5A. Grenzfrequenz ft [MHz]: Silizium. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 65W. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Kollektorstrom: 5A. Ic(Impuls): 8A. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 65W. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Vebo: 5V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP127. Bestandsmenge aktualisiert am 12/01/2025, 13:25.