Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPA07N60C3

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SPA07N60C3. C(in): 790pF. Kosten): 260pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, hohe Spitzenstrombelastbarkeit“. Id(imp): 21.9A. ID (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 07N60C3. Pd (Verlustleistung, max): 32W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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