SPA16N50C3

SPA16N50C3. C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 420 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 10A. ID (T=25°C): 16A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 16N50C3. Pd (Verlustleistung, max): 34W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 50 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 560V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: Außergewöhnliche dv/dt-Fähigkeit. Hinweis: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Spec info: capacités effectives ultra faibles. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.