SKM100GAR123D

SKM100GAR123D. C(in): 5000pF. Kosten): 720pF. Kanaltyp: N. Funktion: Hochleistungs-IGBT. Kollektorstrom: 100A. Ic(Impuls): 150A. Ic(T=100°C): 90A. Anzahl der Terminals: 7. RoHS: ja. Td(off): 450 ns. Td(on): 30 ns. Gehäuse: Andere. Gehäuse (laut Datenblatt): Andere. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.3V. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 600V. Gate/Emitter-Spannung VGE: 20V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th) min.: 4.5V. Gate/Emitter-Spannung VGE(th)max.: 6.5V. Hinweis: Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed 60-100KHz). Spec info: Ic 114A @ 25°C, 50A @ 109°C, Icm 360A (pulsed). CE-Diode: ja. Germaniumdiode: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.