Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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SPA11N65C3

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SPA11N65C3. C(in): 1200pF. Kosten): 390pF. Kanaltyp: N. Drain-Source-Schutz: Zenerdiode. Trr-Diode (Min.): 400 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: Isoliertes Gehäuse (2500 VAC, 1 Minute). Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 100uA. IDss (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N65C3. Pd (Verlustleistung, max): 33W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 44 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 650V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. G-S-Schutz: NINCS. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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SPA11N80C3

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C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktio...
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C(in): 1600pF. Kosten): 800pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 550 ns. Transistortyp: MOSFET. Funktion: „Extreme dv/dt-Bewertung, extrem niedrige effektive Kapazität“. Id(imp): 33A. ID (T=100°C): 7.1A. ID (T=25°C): 11A. IDSS (max): 200uA. IDss (min): 0.5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 11N80C3. Pd (Verlustleistung, max): 41W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.39 Ohms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP-3-1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 800V. Gate/Source-Spannung Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: Vollständig isoliertes Paket (2500 VAC/1 Minute). Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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C(in): 1000pF. Kosten): 60pF. Kanaltyp: N. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Transistortyp: MOSFET. Id(imp): 52A. ID (T=100°C): 8.2A. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 10uA. IDss (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 18NM60. Temperatur: +150°C. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Einschaltwiderstand Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Td(off): 55 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: MDmesh™ II Power MOSFET. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Spannung Vds(max): 600V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Funktion: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Drain-Source-Schutz: ja. G-S-Schutz: NINCS
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