Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: 20Ap f=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: S,contr,av. Hinweis: 45App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYS109. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.064g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Tr: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Hinweis: Vf<1.05V. Hinweis: S-L ->I<-. Hinweis: 50A/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2

Vorwärtsstrom (AV): 1.25A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Hinweis: 30App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 20A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS