Standard- und Gleichrichterdioden

Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms

Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. RoHS: ja. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Anzahl der Terminals: 1. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYS109. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gewicht: 0.064g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. VRRM: 90V. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 60A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms)

Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Tr: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 500V. Hinweis: Vf<1.05V. Hinweis: S-L ->I<-. Hinweis: 50A/10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.25A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Hinweis: 30App/10ms

Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms)

Cj: 220pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 20A. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: IFSM--20A t=10ms

Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Cj: 40pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50App, t=10mS

Cj: 190pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Avalanche Sinterglasdiode schnell“. Produktionsdatum: 201412. Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV28-200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Cj: 125pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Vorwärtsstrom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.93V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Vorwärtsstrom (AV): 9A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC ( SOD59 ). Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 500V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV34-500. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB, SOT78. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. VRRM: 500V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Produktionsdatum: 2013/40. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode