Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYS109. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Gewicht: 0.064g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Vf<1.05V. Hinweis: S-L ->I<-. Hinweis: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V

Vorwärtsstrom (AV): 1.4A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 200 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1.25A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Hinweis: 30App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1000V. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Sehr schnelle Gleichrichtungs- und Schaltdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--80Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 20A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 40V. Cj: 220pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 800V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Recovery“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass ( 4.5x3.6mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50App, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.07V. Durchlassspannung Vf (min): 0.88V

Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Konditionierungseinheit: 2500. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Avalanche Sinterglasdiode schnell“. Produktionsdatum: 201412. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV28-200. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V

Vorwärtsstrom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.93V

Vorwärtsstrom (AV): 9A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. RoHS: ja. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Hinweis: gemeinsame Kathode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 125A t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV34-500. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Produktionsdatum: 2013/40. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Hinweis: gemeinsame Kathode. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.83V