Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 3uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 1000 ns. Hinweis: 30App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 12A. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 48...82kHz. Hinweis: Monitor CRT-GI. Hinweis: TO-220, SOD113 (Kunststoffgehäuse)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50°C...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 20Ap f=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: S,contr,av. Hinweis: 45App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 100uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYS109. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Gewicht: 0.064g. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.5x5.3mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 16 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 60Ap tp=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 65 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifrm 100Ap tp>10uS (Ifrm 50Ap tp=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 500V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Vf<1.05V. Hinweis: S-L ->I<-. Hinweis: 50A/10ms. Tr: 50 ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V