Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BY500-600

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BY500-600. VRRM: 600V. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Originalprodukt vom Hersteller Diotec Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 14:25.

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BY500-1000

BY500-1000

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4m...
BY500-1000
Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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BY500-800

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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4m...
BY500-800
Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V....
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage
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