BYT30P-1000

BYT30P-1000. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 70 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 5mA. MRT (min): 100uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.9V. Durchlassspannung Vf (min): 1.8V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Metallteil, das mit der Kathode verbunden ist. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM 200Ap t=10ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 02:25.