Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

BYP35A6

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BYP35A6. Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. Originalprodukt vom Hersteller Diodes Inc.. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 16:25.

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BYP60A6

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Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton:...
BYP60A6
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
BYP60A6
Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 500A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 430pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--450A 50Hz 10ms, 500A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+200°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V
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150EBU04

150EBU04

Vorwärtsstrom (AV): 150A. IFSM: 1500A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF....
150EBU04
Vorwärtsstrom (AV): 150A. IFSM: 1500A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.07V
150EBU04
Vorwärtsstrom (AV): 150A. IFSM: 1500A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 60 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1500Ap (25°C). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.07V
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