Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 120mA. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOD-523. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-523. VRRM: 40V. Cj: 4pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: .W. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 45. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 40V. Cj: 5pF. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 46. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 0.6A. Gehäuse: SOT-143. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-143B. VRRM: 40V. Cj: 5pF. Dielektrische Struktur: unabhängig. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode, Oberflächenmontage. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 47 s. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.38V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 4. Spec info: IFSM--600mA t=1s

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 125V. Cj: 4pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1.5us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Diode mit geringem Leckstrom. Hinweis: geringer Rückstrom. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Spec info: IFSM--1A t=1mS, 4A t=1uS

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schnell schaltende Schottky-Barrieredioden aus Glas. MRT (maximal): 2uA. Pd (Verlustleistung, max): 200mW. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--4A t=10ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Schottky-Diode für kleine Signale, SMD-Montage. Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80. Gehäuse (JEDEC-Standard): Sb. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 0.6A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 0.2uA..2uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80C. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.8V. Durchlassspannung Vf (min): 0.24V. VRRM: 30 v. Betriebstemperaturbereich min (°C): -55°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 54s. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 54s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 4 v. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 55s. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55s. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Umschaltdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A2. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Anzahl der Terminals: 3. Menge pro Karton: 1. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Schaltdiode 10 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AUs. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 120ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. RoHS: ja. Cj: 6pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-35. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 40V. RoHS: ja. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 10 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L4. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L43 oder W1. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Diode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 1A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..100uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. RoHS: ja. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.4V @ 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L44 oder V4. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: IFSM 0.75App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 200nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT83S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 330mV. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Schottky-Diode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-34. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. RoHS: ja. Cj: 10pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BTA86S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Abmessungen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV. Spec info: IFMS 5Ap/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Funktion: Kleine Signalschaltdioden, Hochspannung