Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 130mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 4 v. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 54s. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 54s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 4 v. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Mischeranwendungen im VHF/UHF-Bereich. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 55s. MRT (maximal): 1.25uA. MRT (min): 0.25uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 55s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: RF 8 Ohms, max 15 Ohms / CT 0.55pF. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 0.6V. Durchlassspannung Vf (min): 0.2V

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Umschaltdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A2. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 0.8...1pF (f=1MHz), rD--0.5...0.7 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. VRRM: 35V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Halbleitermaterial: Sb. Funktion: VHF/UHF-Band-Schaltdiode 10 MHz. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: AUs. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: 0.75...1pF (f=1MHz), rf--0.4...0.7 Ohm. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Tf (Typ): 120ns. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 4A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 7pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4Ap (t=/10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.65V. Durchlassspannung Vf (min): 0.4V

Vorwärtsstrom (AV): 150mA. IFSM: 750mA. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 100V. Cj: 6pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-35. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM 0.75Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.25V

Vorwärtsstrom (AV): 350mA. IFSM: 7.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 40V. Cj: 20pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 10 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--7.5Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.9V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L43 oder W1. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms)

Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD-323. Vorwärtsstrom [A]: 0.3A. RoHS: ja. Komponentenfamilie: Silizium-Schottky-Diode. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Ifsm [A]: 1A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 40V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1uA..100uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 5 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -40°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 600mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 0.4V @ 10mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: L44 oder V4. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--600mAp (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 40V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: IFSM 0.75App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 30mA. IFSM: 0.5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.6pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 200nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT83S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 0.5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 330mV

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignal-Schottky-Diode. Gehäuse: PCB-Löten. Gehäuse: DO-34. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.2A. Ifsm [A]: 5A. Durchlassspannung Vfmax (V): 0.4V @ 10mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 30 v. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 2uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 30 v. Cj: 10pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 2uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BAT85S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Teilung: 1.6x3.9mm. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 800mV. Durchlassspannung Vf (min): 240mV

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-34 ( SOD68 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-34 ( 1.6x3.04 ). VRRM: 50V. Cj: 8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Hinweis: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--5Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 5A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 50V. Cj: 8pF. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 10000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BTA86S. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +125°C. Abmessungen: 3.9x1.6mm. RoHS: ja. Spec info: IFMS 5Ap/10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 900mV. Durchlassspannung Vf (min): 300mV

Vorwärtsstrom (AV): 250mA. IFSM: 1A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.5x1.5mm ). VRRM: 250V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Kleine Signalschaltdioden, Hochspannung. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 60V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Hinweis: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 200V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1App tp=1s, Tj=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 1A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 250V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Allzweckdioden. Hinweis: S. Hinweis: IFSM--1App tp= 1s, Tj=25°C. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.6A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35 ( 1.6x3.9mm ). VRRM: 75V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Schaltdiode für kleine Signale. Hinweis: Ifsm--4A/1uS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT323. VRRM: 85V. RoHS: ja. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra High Speed Switching. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V

Vorwärtsstrom (AV): 0.115A. VRRM: 25V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.115A. VRRM: 35V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 155A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 90V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 132Ap t=10us. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.83V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V