Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 3.5A. IFSM: 90A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Cj: 190pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Avalanche Sinterglasdiode schnell“. Produktionsdatum: 201412. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV28-200. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.89V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 2500. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 3.1A. IFSM: 90A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 125pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra fast low-loss controlled avalanche rect.. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.93V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--90A, t=10mS

Vorwärtsstrom (AV): 9A. IFSM: 100A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC ( SOD59 ). VRRM: 500V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 110Ap t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 125A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT78 (TO-220AB). VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV32E-200. Äquivalente: BYV32-200G, BYV32E-200.127, BYV32-200-E3/45. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.72V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Spec info: Ifsm 125A t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB, SOT78. VRRM: 500V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: BYV34-500. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Spec info: Ifsm 120A t=10ms, 132A t=8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schnelle Silizium-Mesa-Gleichrichter. Produktionsdatum: 2013/40. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFMS 50Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 150V. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: gemeinsame Kathode. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Vorwärtsstrom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2. VRRM: 200V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.83V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 100App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 80App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 200V. Cj: 45pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 88A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. VRRM: 200V. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (max, 25 ns). Hinweis: Viso 2500V, Cisol 10pF. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 600V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Avalanche Sinterglass Diode. MRT (maximal): 46.4k Ohms. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1000V. Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mesa Rectifiers. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 0.1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 100App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220B. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Silizium. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Hinweis: SWITCHMODE Power Rectifiers. Hinweis: Ifsm 100A/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 600V. Cj: 85pF. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle, Soft-Recovery-gesteuerte Lawinengleichrichter“. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Cj: 75pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller, Soft-Recovery-gesteuerter Lawinengleichrichter. Spec info: IFSM--70Ap

Vorwärtsstrom (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI. Hinweis: BYX10GP

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI-S

Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 11 mm, 6-seitig. Hinweis: GI-L

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 300V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GI

Vorwärtsstrom (AV): 20mA. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 20mA/45V. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V

Vorwärtsstrom (AV): 40mA. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). VRRM: 45V. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 40mA/45V. RoHS: ja. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V