Standard- und Gleichrichterdioden

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 1mA. MRT (min): 0.5mA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB ( SOT78 ). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Funktion: Gleichrichterdioden, ultraschnell, robust. Spec info: Ifsm--75Ap t=10ms / diode

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 12.7A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 5uA. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220-2. Schwellenspannung Vf (max): 1.05V. Durchlassspannung Vf (min): 0.83V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 150Ap t=10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 100App/10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 80App/10ms

Cj: 45pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: SWITCHMODE Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 8A. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 5uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.85V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 100A (t=8.3ms)

Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 20 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 88A. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.8V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: ultraschnelle Gleichrichterdioden (max, 25 ns). Hinweis: Viso 2500V, Cisol 10pF. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: Ifsm--88A t=8.3mS

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Fast Avalanche Sinterglass Diode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 46.4k Ohms. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.95V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Hinweis: Schnelle Gleichrichtung und Schaltdiode. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms)

Cj: 50pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Mesa Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 0.1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms)

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI S. Hinweis: 100App/10ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220B. VRRM: 200V. Hinweis: SWITCHMODE Power Rectifiers. Hinweis: Ifsm 100A/10ms

Cj: 85pF. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle, Soft-Recovery-gesteuerte Lawinengleichrichter“. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--70App / 10mS

Cj: 75pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 70A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 1uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.25V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Funktion: Schneller, Soft-Recovery-gesteuerter Lawinengleichrichter. Spec info: IFSM--70Ap

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 0.36A. VRRM: 1600V. Hinweis: GI. Hinweis: BYX10GP

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 350V. Hinweis: GI-S

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 10A. VRRM: 1200V. Hinweis: 11 mm, 6-seitig. Hinweis: GI-L

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 300V. Hinweis: GI

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 20mA/45V. Vorwärtsstrom (AV): 20mA. RoHS: ja. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V

Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: LED-Treiberschaltung 40mA/45V. Vorwärtsstrom (AV): 40mA. RoHS: ja. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB ( 4.6x3.7x2.1mm ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 45V. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Konstantstrom-LED-Treiber. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C. Menge pro Karton: 1. Spec info: für eine Verlustleistung von 1W ohne Kühlung, max, 25V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 150A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm 150A (50Hz), Vf max 0.55V

Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 100 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Diode. Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 300A. Anzahl der Terminals: 3. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.55V. VRRM: 40V. Spec info: Ifsm--300A (50Hz), Vf max--0.55V

Hinweis: Uf 0.98V. Hinweis: Ifsm--65App. Hinweis: Ultraschnelle Erholungsdiode

Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: ULTRA FAST DUAL DIODE. Vorwärtsstrom (AV): 5A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Anzahl der Terminals: 3. Hinweis: ULTRA FAST. Hinweis: Ifsm--50A10mS. Spec info: IFSM--50A t=10mS

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Buchsengewinde: M5. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Spec info: 275App/10ms

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 275A. Buchsengewinde: M5. Gewicht: 6g. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-4. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-4P. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V. VRRM: 600V. Spec info: 275App/10ms

Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Funktion: Leistungsdiode. Vorwärtsstrom (AV): 40A. IFSM: 600A. Buchsengewinde: M6. Montage/Installation: schrauben. Gehäuse: DO-5. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-5P. Betriebstemperatur: -25...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.4V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 800V. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Spec info: 600App/10ms