Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): 7.3x22mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsgleichrichterdiode. MRT (maximal): 25uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Abmessungen: 7.3x22mm. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Brennbarkeitsklasse: UL94V-0. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 10V

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). VRRM: 1300V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): DO-41. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 500uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 50V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass passivated. VRRM: 2000V. Menge pro Karton: 1. Dioden-Tff (25 °C): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2.4V

Vorwärtsstrom (AV): 0.75A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. VRRM: 650V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: GR

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Kühlkörpermontage. Hinweis: 4.2x4.3mm. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 97053100. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 50A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass ( 4.2x4.3mm ). VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 4.2x4.3mm. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 2uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap (tp=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 200V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 70A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 7.6x3.6mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 70Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 30A. Gehäuse: SOD-57 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57 Glass. VRRM: 1500V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 140uA. MRT (min): 3uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.6V. Durchlassspannung Vf (min): 1.6V

Vorwärtsstrom (AV): 4A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-57. VRRM: 1200V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 1000 ns. Hinweis: 30App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 12A. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 48...82kHz. Hinweis: Monitor CRT-GI. Hinweis: TO-220, SOD113 (Kunststoffgehäuse)

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50°C...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 800V. RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm--200App t=10mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon Rectifiers. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 20uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap t=8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 300A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 20uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--300Ap/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--20Ap (t=10ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Schnelle Soft-Rocovery-Gleichrichterdiode“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 20Ap f=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 1.3A. IFSM: 20A. Gehäuse: SOD-81. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-81. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 300 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 1uA. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: IFSM--20Ap t=10ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 2.3A. Gehäuse: SOD-64 ( Glass ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-64 Glass. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: S,contr,av. Hinweis: 45App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V

Vorwärtsstrom (AV): 35A. IFSM: 400A. VRRM: 600V. Durchmesser: 12.75mm. Cj: 250pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Trr-Diode (Min.): 1500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silicon-Press-Fit-Diodes, High Temperature. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--360A 50Hz 10ms, 400A 60Hz 8.3ms. Gewicht: 10g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+215°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.1V. Durchlassspannung Vf (min): 1.1V