BY500-200
| Menge | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
| 10 - 24 | 0.19€ | 0.23€ |
| 25 - 49 | 0.18€ | 0.21€ |
| 50 - 99 | 0.17€ | 0.20€ |
| 100 - 249 | 0.16€ | 0.19€ |
| 250 - 418 | 0.14€ | 0.17€ |
| Menge | U.P | |
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| 1 - 9 | 0.20€ | 0.24€ |
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BY500-200. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50°C...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Spec info: Ifsm--200Ap, t=10ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 200 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 5A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 10uA. MRT (min): 220A. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201 ( 7.5x5.4mm ). Betriebstemperatur: -50...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 800V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm--200App t=10mS
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