Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1200V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 400V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 40A. Vorwärtsstrom (RMS): 62A. IFSM: 570A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hohe Spitzenstromfähigkeit. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 9mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM--480App / 10mS (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+190°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.5V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 1500V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SILICON DIFFUSED TYPE. Hinweis: HOR.DEFLEC.OUTPUT COLOR TV. Hinweis: trr 0.6us

Vorwärtsstrom (AV): 60A. IFSM: 800A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AC 3L. VRRM: 200V. Cj: 87pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 28 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 60APU02. Äquivalente: 60APU02PBF, VS-60APU02PBF. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Trr 35nS, IF=1.0A, dIF/dt=200A/us, VR=30V. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.08V. Durchlassspannung Vf (min): 0.98V

Vorwärtsstrom (AV): 1.2A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 250A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 ( 9.1x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 60pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 10uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 6A10. Äquivalente: 6A100G-R0G. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--250Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM 1000Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Kathode verbunden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: Gewindebefestigung. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 1600V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. MRT (maximal): 4.5mA. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: IFSM 1000App / 10ms (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 70A. Vorwärtsstrom (RMS): 110A. IFSM: 1200A. Gehäuse: DO-203AB ( DO-5 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-203AB. VRRM: 800V. Konditionierungseinheit: 100dB. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Gehäuse mit der Anode verbunden. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: M6 -Thread. Anzahl der Terminals: 1. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 1200Ap / 10ms 50Hz (100% Vrrm). Montage/Installation: schrauben. Betriebstemperatur: -65...+180°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.79V

Vorwärtsstrom (AV): 80A. IFSM: 800A. Gehäuse (laut Datenblatt): POWERTAB. VRRM: 400V. Cj: 50pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Verwendet für: kann auch für Solarpanel-Systeme verwendet werden. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultraschnelle Soft-Recovery-Diode. MRT (maximal): 2mA. MRT (min): 50uA. RoHS: ja. Spec info: IFSM--800Ap (Tc--25). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 0.92V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 155A / 50Hz, 180A / 60Hz. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.4x7.5mm). VRRM: 50V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, axiale Anschlüsse. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: i2t--132Ap t<10us, TA=25°C. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.55V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-204. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-204AP. VRRM: 50V. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: GLASS PASSIVATED FAST SWITCHING RECTIFIER. Hinweis: SAMSUNG. MRT (maximal): 5uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: RG2A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFMS 50Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 400V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C

Gehäuse: DO-41. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). VRRM: 1000V. RoHS: ja. Cj: 15pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.1A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <0.80V / 0.1A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 0.5uA / 25V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 5ns. Serie: BAR

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. IFSM: 0.75A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23L. VRRM: 30 v. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 5 ns. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schaltende Schottky-Diode. MRT (maximal): 100mA. MRT (min): 500nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: DB1. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--750mA t=10ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.45V. Durchlassspannung Vf (min): 0.26V

Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 100V. Gehäuse: SOT23. VRRM: 75V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.215A. RoHS: ja. Spec info: IFSM--1A (T=1ms), 4A (T=1us). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -40...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV. Diodentyp: Switching. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.25V / 0.15A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 1uA / 75V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 6ns. Information: 30nA. Serie: BAS. MSL: 3

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): 318–08, SOT–23 (TO–236AB). VRRM: 75V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 6 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Schaltdiode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A6s, A6t. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6s. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 715mV

Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 625mA. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 250V. Cj: 5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochspannungsschaltdiode. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code JS. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 0.1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JS. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: IFSM--t=1µs 9A, t=100µs 3A, t=10ms 1.7A. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 0.5A. IFSM: 1A. Gehäuse: SOD-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-323. VRRM: 85V. Cj: 1.5pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsdiode. Produktionsdatum: 2014/22. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A6. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4A(t=1us), 1A(t=1ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: DO-35 ( SOD27 ). Gehäuse (laut Datenblatt): DO-35. VRRM: 70V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 0.5uA. MRT (min): 1nA. Anzahl der Terminals: 2. Temperatur: +175°C. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap, t=1µs. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schwellenspannung Vf (max): 1V