BAV199

Menge (Set mit 10)	exkl. MwSt	inkl. MwSt
1 - 1	0.91€	1.08€
2 - 2	0.87€	1.04€
3 - 4	0.82€	0.98€
5 - 9	0.80€	0.95€
10 - 24	0.77€	0.92€
25 - 49	0.67€	0.80€
50 - 787	0.64€	0.76€

Menge (Set mit 10)	U.P
1 - 1	0.91€	1.08€
2 - 2	0.87€	1.04€
3 - 4	0.82€	0.98€
5 - 9	0.80€	0.95€
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Set mit 10

BAV199. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). VRRM: 85V. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 500mA. RoHS: ja. Spec info: IFSM--4.5A (tp=1us), 0.5A (tp=1s). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: Gemeinsame Anode-Kathode (Mittelpunkt). Trr-Diode (Min.): 0.6us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Dual-Low-Leakage-Diode. Produktionsdatum: 2014/49. MRT (maximal): 80nA. MRT (min): 5nA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: JYs. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Originalprodukt vom Hersteller Infineon Technologies. Bestandsmenge aktualisiert am 26/07/2025, 13:25.

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