Menge (Set mit 25) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 0.81€ | 0.96€ |
2 - 3 | 0.77€ | 0.92€ |
4 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 19 | 0.69€ | 0.82€ |
20 - 39 | 0.65€ | 0.77€ |
40 - 3611 | 0.61€ | 0.73€ |
Menge (Set mit 25) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.81€ | 0.96€ |
2 - 3 | 0.77€ | 0.92€ |
4 - 9 | 0.73€ | 0.87€ |
10 - 19 | 0.69€ | 0.82€ |
20 - 39 | 0.65€ | 0.77€ |
40 - 3611 | 0.61€ | 0.73€ |
BAW56. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra High Speed Switching. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1s. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1s. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. VRRM: 80V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Bestandsmenge aktualisiert am 14/01/2025, 12:25.
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