Menge (Set mit 10) | exkl. MwSt | inkl. MwSt |
---|---|---|
1 - 1 | 0.40€ | 0.48€ |
2 - 2 | 0.38€ | 0.45€ |
3 - 4 | 0.36€ | 0.43€ |
5 - 9 | 0.34€ | 0.40€ |
10 - 24 | 0.32€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.36€ |
50 - 405 | 0.28€ | 0.33€ |
Menge (Set mit 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 0.40€ | 0.48€ |
2 - 2 | 0.38€ | 0.45€ |
3 - 4 | 0.36€ | 0.43€ |
5 - 9 | 0.34€ | 0.40€ |
10 - 24 | 0.32€ | 0.38€ |
25 - 49 | 0.30€ | 0.36€ |
50 - 405 | 0.28€ | 0.33€ |
BAW56W. RoHS: ja. Cj: 2pF. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Anode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra High Speed Switching. Vorwärtsstrom (AV): 200mA. IFSM: 1A. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code A1. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 0.15uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: A1. Anzahl der Terminals: 3. Temperatur: +150°C. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: SOT-323. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT323. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 0.715V. VRRM: 85V. Spec info: Ifsm 4.5A t=1us, 1A t=1ms. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 00:25.
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