Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 25A. IFSM: 225A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 600V. Cj: 55pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 23 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 600uA. MRT (min): 1.5uA. Äquivalente: VS-HFA25TB60-M3. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--225Ap. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 30A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247AD. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 25. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Trr-Diode (Min.): 19 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultra Fast Soft Recovery Diode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap, t=8.33ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. VRRM: 800V. Menge pro Karton: 1. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: D30. Hinweis: M4 -Thread. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

RoHS: ja. Komponentenfamilie: Kleinsignaldiode Oberflächenmontage (SMD). Gehäuse: PCB-Lötung (SMD). Gehäuse: SOD80C (MiniMELF). Gehäuse (JEDEC-Standard): 0.5W. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Anzahl der Terminals: 2. Vorwärtsstrom [A]: 0.15A. Ifsm [A]: 2A. Durchlassspannung Vfmax (V): 1V @ 10mA. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 100V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 25nA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 4 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +200°C

Vorwärtsstrom (AV): 0.2A. IFSM: 2A. Gehäuse: 12.7k Ohms. Gehäuse (laut Datenblatt): SOD-80 ( 3.4x1.6mm ). VRRM: 100V. Cj: 4pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 4 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeits-Schaltgleichrichter. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 25nA. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: IFSM--2Ap (tp=1us). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 0.62V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: SAMSUNG

Vorwärtsstrom (AV): 0.1A. VRRM: 80V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Duale Siliziumdiode

Gehäuse: SOD123. VRRM: 30V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 0.5A. Diodentyp: Schottky. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): 0.43V / 0.5A. Montageart: SMD. Rückwärtsleckstrom: 130uA / 30V. Produktserie: MBRB. MSL: 1

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220A-2P. VRRM: 100V. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.85V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.008mA. MRT (min): 8uA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.88V. Durchlassspannung Vf (min): 0.78V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2P. VRRM: 200V. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Schottky-Gleichrichterdiode. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 60.4k Ohms. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-3P. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 0.2mA. MRT (min): 0.2mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 120A (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.99V. Durchlassspannung Vf (min): 0.87V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B1060. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.7V

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Diode für Schaltnetzteil, doppelt, Schottky. MRT (maximal): 15mA. MRT (min): 0.1mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: total 15A (150Ap t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.84V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V

Vorwärtsstrom (AV): 7.5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Doppelt: Doppelt. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Diode zum Schalten der Stromversorgung. Hinweis: 15A/150App. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 60V. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 1mA..50mA. Betriebstemperaturbereich min (°C): -65°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +150°C

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 45V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.63V. Durchlassspannung Vf (min): 0.57V

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC. VRRM: 60V. Cj: 500pF. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: „Barrieregleichrichter“. MRT (maximal): 10mA. MRT (min): 0.5mA. Anzahl der Terminals: 2. Schottky-Diode?: Schottky. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms

Vorwärtsstrom (AV): 16A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Cj: 400pF. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: „Barrieregleichrichter“. Anzahl der Terminals: 3. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: Ifsm 150App/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.75V. Durchlassspannung Vf (min): 0.65V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 20A. IFSM: 150A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 100V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 0.1mA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B20100G. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150App/60Hz. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.95V. Durchlassspannung Vf (min): 0.75V

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 150V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: 20A/150App. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. IFSM: 75A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO220-3. VRRM: 200V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 6mA. MRT (min): 0.05mA. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap (peak total). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Durchlassspannung Vf (min): 0.9V

Vorwärtsstrom (AV): 10A/diode. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 45V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Doppelt: Doppelt. Funktion: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 3. RoHS: ja. Schottky-Diode?: Schottky. Spec info: total 20A, IFSM 150App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. VRRM: 60V. Menge pro Karton: 2. Dielektrische Struktur: gemeinsame Kathode. Hinweis: Doppelte Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode. Hinweis: 20A/150App. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage