Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

MURS320T3G

MURS320T3G
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MURS320T3G. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3D. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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MBRS360T3G

MBRS360T3G

RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funkti...
MBRS360T3G
RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
MBRS360T3G
RoHS: ja. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V. VRRM: 60V. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C)
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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (...
SS34-E3-57T
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
SS34-E3-57T
Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V. VRRM: 40V. Anzahl der Terminals: 2. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms)
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