Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MURS320T3G

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MURS320T3G. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 75A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO-214AB ( 6.8x5.9mm ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 25 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U3D. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. Originalprodukt vom Hersteller Taiwan Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 08/06/2025, 13:25.

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MBRS360T3G

MBRS360T3G

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7...
MBRS360T3G
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V
MBRS360T3G
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 80A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC CASE 403AC ( 7.15x6.25mm ). VRRM: 60V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Gleichrichterdiode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: B36. Äquivalente: Vishay VS-MBRS360-M3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Vf 0.74V/3A, (iF=3.0A, TJ=25°C). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+125°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.74V. Durchlassspannung Vf (min): 0.74V
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SS34-E3-57T

SS34-E3-57T

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7....
SS34-E3-57T
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V
SS34-E3-57T
Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB (SMC) 7.11x6.22mm. VRRM: 40V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Halbleitermaterial: Sb. Funktion: Schottky-Barriere-Gleichrichterdiode, Oberflächenmontage. MRT (maximal): 20mA. MRT (min): 500uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: SS34. Äquivalente: SS34-E3/9AT. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.5V. Durchlassspannung Vf (min): 0.5V
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