Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

MUR1100E

MUR1100E
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MUR1100E. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Äquivalente: MUR1100ERLG. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 1000. Spec info: IFSM. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 03:25.

Technische Dokumentation

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Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A
UF4007
Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 1A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 1000V. Ifsm [A]: 33A. Schließspannung (wiederholend) Vrrm [V]: 1 kV. Leckstrom beim Schließen Ir [A]: 5uA..50uA. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: GI-S. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Durchlassspannung Vfmax (V): 1.7V @ 1A
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Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Konditionierung: Rolle. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Konditionierungseinheit: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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