Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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Halbleiter Dioden Standard- und Gleichrichterdioden

MUR1100E

MUR1100E
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MUR1100E. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Konditionierungseinheit: 1000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Äquivalente: MUR1100ERLG. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.75V. Durchlassspannung Vf (min): 1.5V. Originalprodukt vom Hersteller ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 25/07/2025, 15:25.

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UF4007

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VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Gehäuse: ja. Schaltgeschwind...
UF4007
VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Gehäuse: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.7V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 10uA / 1000V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Serie: UF40. MSL: 5uA..50uA
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VRRM: 1000V. Durchschnittlicher gleichgerichteter Strom pro Diode: 1A. Gehäuse: ja. Schaltgeschwindigkeit (Regenerationszeit) tr [Sek.]: 75 ns. Betriebstemperaturbereich min (°C): -50°C. Betriebstemperaturbereich max (°C): +175°C. Diodentyp: Gleichrichterdiode. Diodenkonfiguration: unabhängig. Durchlassspannung (max.): <1.7V / 1A. Montageart: THT. Rückwärtsleckstrom: 10uA / 1000V. Reverse-Recovery-Zeit (max.): 75ns. Information: 1.7V @ 1A. Serie: UF40. MSL: 5uA..50uA
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm...
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 27A. Gehäuse: DO-213. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-213AB ( 2.5x5mm ). VRRM: 1000V. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 5000. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast silicon rectifier diode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--27Ap. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V
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