Elektronische Komponenten und Geräte für Unternehmen und Privatpersonen
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MURS120T3G

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MURS120T3G. Dioden-Tff (25 °C): 25 ns. Trr-Diode (Min.): 35 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 40A. MRT (maximal): 50uA. MRT (min): 2uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1D. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 0.875V. Durchlassspannung Vf (min): 0.71V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1D. Bestandsmenge aktualisiert am 13/01/2025, 08:25.

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Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J
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Dioden-Tff (25 °C): 50 ns. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Power Rectifiers. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 35A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 5uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: U1J. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO-214AB ( 4.3x3.6mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.25V. Durchlassspannung Vf (min): 1.05V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: Siebdruck/CMS-Code U1J
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