Standard- und Gleichrichterdioden

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: 30App/10ms

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). VRRM: 1000V. Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 600V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 200V. Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Hinweis: 100App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -50...+150°C

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). VRRM: 600V. Cj: 60pF. Trr-Diode (Min.): 500 sn. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB. VRRM: 1000V. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms). Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). VRRM: 1000V. Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). VRRM: 600V. Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Anzahl der Terminals: 2. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 400V. Halbleitermaterial: Silizium

Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). VRRM: 4000V. Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochspannungs-Glaspassivierter Sperrschichtgleichrichter“. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: IFSM--15App/8.3mS. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. VRRM: 200V. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: HER103G. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 400V. Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Äquivalente: HER105G. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). VRRM: 1000V. Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Äquivalente: HER108G. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A Spitze. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.6 x 9.5mm). VRRM: 200V. Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 300V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm). VRRM: 400V. Cj: 70pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms. Gewicht: 0.4g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). VRRM: 1000V. Cj: 80pF. Menge pro Karton: 1. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V

Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). VRRM: 1000V. Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Spec info: 150Ap/8.3ms. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm--60Aps. Pd (Verlustleistung, max): 14W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 60A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 10pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA08TB60. Äquivalente: 39.2k Ohms. Anzahl der Terminals: 2. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Spec info: IFRM 24A. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V

Vorwärtsstrom (AV): 8A. Gehäuse: D2PAK ( TO-263 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-263 ( D2PAK ). VRRM: 600V. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm 60Aps. Pd (Verlustleistung, max): 36W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)

Vorwärtsstrom (AV): 15A. IFSM: 50A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. VRRM: 600V. Cj: 25pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 42 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. MRT (maximal): 400uA. MRT (min): 1uA. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA15TB60. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Spec info: Trr 19ns, (IF=1A). Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V