Standard- und Gleichrichterdioden

Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Hinweis: 60App/8.3ms. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. VRRM: 600V

Cj: 25pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Vorwärtsstrom (AV): 1.5A. IFSM: 60A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15. Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMA DO214AC. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--30Ap t=10mS

Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AC ( SMA ). VRRM: 1000V. Spec info: 30App/10ms

Cj: 30pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 60A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-15. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-15 ( 3.2x7.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--60Ap (t=8.3ms)

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 250 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 2A. IFSM: 50A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMB DO214AA ( 4.7x3.7x2.6 ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--50Ap t=10mS

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. Hinweis: FAST RECOVERY RECTIFIER. Hinweis: IFSM--200Ap/8.3mS. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 ( 9x5.3mm ). VRRM: 600V

Trr-Diode (Min.): 150 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Hinweis: 100App/10ms. Anzahl der Terminals: 2. Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). Betriebstemperatur: -50...+150°C. VRRM: 200V

Cj: 60pF. Trr-Diode (Min.): 500 sn. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: FAST RECOVERY RECTIFIER. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-214AB ( SMC ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 600V. Spec info: Ifsm 100App / 8.3ms

Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Silizium-Schnellgleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 100A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 5uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: DO-214. Gehäuse (laut Datenblatt): SMC DO214AB. Betriebstemperatur: -50...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: Ifsm 100Ap (t=10ms)

Cj: 100pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 500 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 200A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x7.2mm ) ( R-6 ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.2V. Durchlassspannung Vf (min): 1.2V. VRRM: 1000V. Spec info: IFSM--200Ap/8.3mS

Cj: 40pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Recovery Rectifier. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. Anzahl der Terminals: 2. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.1x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 600V. Spec info: Ifms 150Ap t=8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 5A. VRRM: 400V

Cj: 3pF. Menge pro Karton: 1. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 2us. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: „Hochspannungs-Glaspassivierter Sperrschichtgleichrichter“. Vorwärtsstrom (AV): 0.25A. IFSM: 15A. Anzahl der Terminals: 2. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ) ( 2.7x5.2mm ). Betriebstemperatur: -65...+175°C. Schwellenspannung Vf (max): 3V. Durchlassspannung Vf (min): 3V. VRRM: 4000V. Spec info: IFSM--15App/8.3mS

Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. MRT (maximal): 100uA. MRT (min): 5uA. Äquivalente: HER103G. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2

Cj: 25pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Äquivalente: HER105G. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2

Cj: 20pF. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Vorwärtsstrom (AV): 1A. IFSM: 30A. Äquivalente: HER108G. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-41. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-41 ( DO-204AL ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2

Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A Spitze. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (5.6 x 9.5mm). Betriebstemperatur: -60...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 200V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 50 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 300V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Cj: 70pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 150uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-27. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-27 (9.5x5.6mm). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.3V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 400V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Gewicht: 0.4g. Spec info: Ifsm 150Ap T=8.3ms

Cj: 80pF. Trr-Diode (Min.): 75 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 3A. IFSM: 125A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Gewicht: 1.1g. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: DO-201. Gehäuse (laut Datenblatt): DO-201AD ( 9.0x5.3mm ). Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1V. Durchlassspannung Vf (min): 1V. VRRM: 1000V. Anzahl der Terminals: 2. Hinweis: hocheffiziente Gleichrichterdiode. Menge pro Karton: 1. Spec info: Ifsm 125Ap T=8.3ms

Cj: 65pF. Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 6A. IFSM: 150A. MRT (maximal): 200uA. MRT (min): 10uA. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: R-6. Gehäuse (laut Datenblatt): R-6 (8.8x7mm). Tr: 75 ns. Betriebstemperatur: -65...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.3V. VRRM: 1000V. Spec info: 150Ap/8.3ms

Halbleitermaterial: Silizium. Vorwärtsstrom (AV): 8A. Pd (Verlustleistung, max): 14W. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). VRRM: 600V. Hinweis: Ultrafast. Hinweis: Ifsm--60Aps

Cj: 10pF. Konditionierung: Kunststoffrohr. Dielektrische Struktur: Anode-Kathode. Trr-Diode (Min.): 18 ns. Halbleitermaterial: Silizium. Funktion: Ultrafast Soft Recovery Diode. Vorwärtsstrom (AV): 8A. IFSM: 60A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: HFA08TB60. Äquivalente: 39.2k Ohms. Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AC-2. Betriebstemperatur: -55...+150°C. Schwellenspannung Vf (max): 1.7V. Durchlassspannung Vf (min): 1.4V. VRRM: 600V. Anzahl der Terminals: 2. Menge pro Karton: 1. Konditionierungseinheit: 50. Spec info: IFRM 24A